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    硅整流管工作原理是基于用Ｐ型半導體及Ｎ型半導體組成PN結，它具有單向導電的整流作用。Ｐ型硅單晶中，帶正電荷的空穴是多數載流子，而電子是少數載流子。Ｎ型硅單晶中，帶負電荷的電子是多數載流子，而空穴是少數載流子。由Ｐ型和Ｎ型兩種半導體材料組成的PN結，如圖1-1所示，由于Ｐ區的空穴濃度高于Ｎ區的空穴濃度，Ｎ區的電子濃度高于Ｐ區的電子濃度，所以Ｐ區空穴向Ｎ去擴散并與Ｎ區電子復合，Ｎ區電子向Ｐ區擴散并與Ｐ區空穴復合。在PN結交界面附近（叫空間電荷區）Ｐ區因缺少空穴而帶負電荷（是一些不能移動的受主原子），Ｎ區因缺少電子而帶正電荷（是一些不能移動的施主原子），在空間電荷區，載流子因復合而消耗殆盡，故為高阻區，也叫空乏層或耗盡層。空間電荷區的正負電荷形成電場稱為自建電場或內電場，電場的方向是由正電荷區指向負電荷區，對Ｐ區的空穴繼續向Ｎ區擴散以及Ｎ區的電子繼續向Ｐ區擴散起到阻擋的作用，Ｎ區的電子要到達Ｐ區以及Ｐ區的空穴要達到Ｎ區都要克服這個勢壘作用，所以空間電荷區也叫阻擋層或勢壘區。