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干法刻蝕（Dry Etching）是使用氣體刻蝕介質。
常用的干法刻蝕方法包括物理刻蝕（如離子束刻蝕）和化學氣相刻蝕（如等離子體刻蝕）等。
與干法蝕刻相比，濕法刻蝕使用液體刻蝕介質，通常是一種具有化學反應性的溶液或酸堿混合液。
這些溶液可以與待刻蝕材料發生化學反應，從而實現刻蝕。
硅濕法刻蝕是一種相對簡單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質進行。
然而，與干法刻蝕相比，它的刻蝕速度較慢，并且還需要處理廢液。
每個目標物質都需要選擇不同的化學溶液進行刻蝕，因為它們具有不同的固有性質。
例如，在刻蝕SiO2時，主要使用HF；
而在刻蝕Si時，主要使用HNO3。
因此，在該過程中選擇適合的化學溶液至關重要，以確保目標物質能夠充分反應并被成功去除。
1、酸性蝕刻液：
Si+HNO3 +6HF → H2 SiF6 +HNO2 +H2O+H2
2、硅的堿性刻蝕液：
氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液
，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時帶走表面顆粒。
隨著器件尺寸縮減會引入很多新材料（如高介電常數和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調整刻蝕對多晶硅和其他材料的選擇比。
1、氫氟酸HF溶液：
SiO2 +4HF—→SiF4 （氣體）+2H2O
HF過量時：
SiO2 +6HF—→H2 SiF6 +2H2O
2、緩沖氧化物刻蝕劑BOE：
它是HF和NH4F的混合物，可避免HF刻蝕時氟離子的缺乏 ，溶液pH值穩定，不受少量酸加入的影響，還有一個好處是刻蝕率穩定不侵蝕光阻，避免柵極氧化層刻蝕時光阻脫落。
3、HF/EG溶液：
HF/EG是
49%的氫氟酸與乙二醇以大約4:96
的比例混合，溫度控制在
70～80℃
，對爐管氧化硅和氮化硅的刻蝕選擇比約
1:1.5
，其主要特點是不與基體硅或干刻蝕損傷硅反應，因而在有Si的刻蝕制程或有SiN和SiO2 去除，都可有所考慮，如CMOS的STI形成后，氮化硅濕法回蝕方面的應用。
4、SC1溶液：
SC1是
氫氧化銨、雙氧水、水
的混合物，高溫（
60～70℃
）SC1（1:2:50）對爐管氧化硅有低的刻蝕率，約
3?/min
，可用于特殊步驟的精細控制。
濃度越大和溫度越高，則刻蝕就越快。
1、磷酸濕法：
氮化硅濕法去除的普遍方法是熱磷酸溶液。
85%的濃磷酸
混入少量水，溫度控制在
150～170℃
，對爐管氮化硅的刻蝕率大約
50?/min
；
而對CVD氮化硅會更高，如果制程有回火步驟，則刻蝕率會受很大影響，應依據不同的條件測定實際的結果。
為了提高對氧化硅的選擇比，放入氮的硅晶片，溶入一定的硅，或使用120～150℃的低溫磷酸；
反應的主體是氮化硅和水，磷酸在此反應中僅作為催化劑。
2、HF/EG濕法：
對氮化硅刻蝕率比氧化硅要快，比率約
1.5:1
，也不侵蝕硅，有時應用于CMOS的STI溝渠形成后氮化硅濕法回蝕步驟。
3、HF濕法刻蝕：
49%HF
對氮化硅（爐管或CVD）有高的刻蝕率，對氧化硅更高，因而不適宜制程應用。
也正是因為它的高刻蝕率，對去除擋控片上的氮化硅很有效。
Si3N4 +18HF→H2SiF6 +2（NH4 ）2SiF6
以爐管氮化硅（SiN）為幕罩的刻蝕，如淺溝渠隔離（STI）刻蝕、側壁（OFFSET）刻蝕、主間隙壁（SPACER）刻蝕，在刻蝕后，留下的殘留物一般含O、Si等元素，常用稀HF（濃度H2
O:HF約100:1或更稀）清除。
對于CVD SiN為幕罩的刻蝕，由于稀HF對CVD SiN的刻蝕率本身就比爐管SiN大，加上刻蝕電漿對幕罩的表面轟擊，相對講這種膜刻蝕率就更大，因此刻蝕后殘留物的去除，需用更稀的HF，以避免高濃度HF過刻蝕影響關鍵尺寸的控制。
參考書籍：
《納米集成電路制造工藝》
（點擊查看下載）
20種鋁濕法刻蝕配方
需要注意的是，雖然濕法刻蝕相對簡單，但是由于它涉及到液態化學刻蝕劑，所以處理和處置這些化學物質需要特別小心，以確保操作者的安全和環境保護。
此外，濕法刻蝕可能不適用于所有類型的芯片制程，尤其是那些需要極高刻蝕精度的應用。
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