沙子：硅是地殼內第二豐富的元素，而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，這也是半導體制造產業的基礎。
硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級。通過多步凈化得到可用于半導體制造質量的硅，學名電子級硅(EGS)，平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜質原子。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠(Ingot)。
硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級。通過多步凈化得到可用于半導體制造質量的硅，學名電子級硅(EGS)，平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜質原子。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠(Ingot)。
硅錠切割：橫向切割成圓形的單個硅片，也就是我們常說的晶圓。切割出的晶圓經過拋光后變得幾乎完美無瑕，表面甚至可以當鏡子
光刻膠(Photo Resist)：圖中藍色部分就是在晶圓旋轉過程中澆上去的光刻膠液體，類似制作傳統膠片的那種。晶圓旋轉可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平
光刻膠層隨后透過掩模被曝光在紫外線之下變得可溶，掩模上印著預先設計好的電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成微處理器的每一層電路圖案。
一塊晶圓上可以切割出數百個處理器，晶體管相當于開關，控制著電流的方向，一個針頭上就能放下大約3000萬個。
溶解光刻膠、蝕刻、清除光刻膠
光刻膠：再次澆上光刻膠(藍色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料
離子注入：在真空系統中，用經過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料，從而在被注入的區域形成特殊的注入層，并改變這些區域的硅的導電性。經過電場加速后的離子流速度可以超過30萬千米每小時
清除光刻膠：離子注入完成后，光刻膠也被清除，而注入區域(綠色部分)也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經有所不同。
晶體管就緒：至此，晶體管已經基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。
電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負極(陰極)。
銅層：電鍍完成后，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個薄薄的銅層。
拋光：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。
金屬層：在不同晶體管之間形成復合互連金屬層，具體布局取決于相應處理器所需要的不同功能性。
晶圓測試：內核級別，大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部，正在接受第一次功能性測試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進行對比。
晶圓切片(Slicing)：晶圓級別，300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊，每一塊就是一個處理器的內核(Die)
丟棄瑕疵內核：晶圓級別。測試過程中發現的有瑕疵的內核被拋棄，留下完好的準備進入下一步
單個內核：內核級別。從晶圓上切割下來的單個內核，這里展示的是Core i7的核心
封裝：封裝級別，20毫米/1英寸。襯底(基片)、內核、散熱片堆疊在一起，就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當于一個底座，并為處理器內核提供電氣與機械界面，便于與PC系統的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負責內核散熱的了
至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Core i7)喜歡就訂閱我吧，數碼GO，你身邊的趣味數碼分享家。
